Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFIBC20GPBF

IRFIBC20GPBF

更新时间： 2024-11-23 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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8页	1479K
描述
Power MOSFET

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IRFIBC20GPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	4.64
雪崩能效等级（Eas）：	84 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	4.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRFIBC20GPBF 数据手册

IRFIBC20G, SiHFIBC20G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Isolated Package

600

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

4.4

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.0

COMPLIANT

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

_gs(nC)

_gd(nC)

8.9

• Low Thermal Resistance

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. The isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIBC20GPbF

SiHFIBC20G-E3

IRFIBC20G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFIBC20G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

1.7

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.8

Linear Derating Factor

0.24

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.7

E_AR

3.0

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

3.0

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 53 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91179

S-81273-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IRFIBC30G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=2.5A)
IRFIBC30G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRFIBC30GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRFIBC40G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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