IRFIBF20G

更新时间： 2024-11-26 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	1614K
描述
Power MOSFET

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IRFIBF20G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.2 A
最大漏极电流 (ID)：	1.2 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFIBF20G 数据手册

IRFIBF20G, SiHFIBF20G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

8.0

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.7

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-220 FULLPAK

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIBF20GPbF

SiHFIBF20G-E3

IRFIBF20G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFIBF20G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

900

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.2

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.79

4.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.24

150

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.2

E_AR

3.0

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 196 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.7 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91185

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRFIBF20G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP3NK90ZFP	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/

与IRFIBF20G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFIBF20GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIBF30G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIBF30G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
IRFIBF30GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFIBF30GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIP044	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 43A I(D) \| TO-247VAR
IRFIP054	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 64A I(D) \| TO-247VAR
IRFIP140	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-247VAR
IRFIP150	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247VAR
IRFIP240	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-247VAR

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