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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF PDF预览

IRFIBF30GPBF

更新时间： 2024-09-15 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1462K
描述
Power MOSFET

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IRFIBF30GPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.04Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：3.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFIBF30GPBF 数据手册

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IRFIBF30G, SiHFIBF30G  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Isolated Package  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
900  
Available  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;  
f = 60 Hz)  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
3.7  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
78  
10  
COMPLIANT  
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm  
• Dynamic dV/dt Rating  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
42  
• Low Thermal Resistance  
Configuration  
Single  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-220 FULLPAK  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The molding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab and  
external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100  
micron mica barrier with standard TO-220 product. The  
FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by  
a single screw fixing.  
S
N-Channel MOSFET  
S
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRFIBF30GPbF  
SiHFIBF30G-E3  
IRFIBF30G  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFIBF30G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
900  
UNIT  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
1.9  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
1.2  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
7.6  
Linear Derating Factor  
0.28  
220  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
1.9  
EAR  
3.5  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
35  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
1.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 115 µH, RG = 25 Ω, IAS = 1.9 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, VDD ≤ 600, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91186  
S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFIBF30GPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP6NK90ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220
STP3NK90ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR
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