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IRFIBC40GLC

更新时间： 2024-11-06 14:53:03

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威世 - VISHAY		/
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Power MOSFET

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IRFIBC40GLC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.05
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFIBC40GLC 数据手册

IRFIBC40GLC

Vishay Siliconix

www.vishay.com

Power MOSFET

FEATURES

TO-220 FULLPAK

• Isolated package

• High voltage isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to lead creepage distance = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt rating

• Low thermal resistance

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Third generation power MOSFETs from Vishay provides the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost

effectiveness.

600

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.2

Q_gmax. (nC)

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFIBC40GLCPbF

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.5

Continuous drain current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

2.2

Pulsed drain current ^a

I_DM

Linear derating factor

0.32

320

W/°C

Single pulse avalanche energy ^b

Repetitive avalanche current ^a

Repetitive avalanche energy ^a

Maximum power dissipation

Peak diode recovery dV/dt ^c

Operating junction and storage temperature range

Soldering recommendations (peak temperature) ^d

Mounting torque

E_AS

I_AR

3.5

E_AR

4.0

_C= 25 °C

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

3.0

V/ns

-55 to +150

300

°C

For 10 s

M3 screw

0.6

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11)

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 12 μH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.5 A (see fig. 12)

c. I_SD≤ 6.2 A, dI/dt ≤ 80 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C

d. 1.6 mm from case

S21-0976-Rev. D, 11-Oct-2021

Document Number: 91181

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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IRFIBC40GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFIBC40GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFIBE20G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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