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IRFIBC40GPBF

更新时间： 2024-11-26 11:09:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1458K
描述
Power MOSFET

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IRFIBC40GPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.2雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFIBC40GPBF 数据手册

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IRFIBC40G, SiHFIBC40G  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Isolated Package  
• Low Thermal Resistance  
• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,  
f = 60 Hz)  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
600  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
1.2  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
60  
8.3  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
30  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
TO-220 FULLPAK  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The molding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab and  
external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100  
micron mica barrier with standard TO-220 product. The  
FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by  
a single screw fixing.  
S
N-Channel MOSFET  
S
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRFIBC40GPbF  
SiHFIBC40G-E3  
IRFIBC40G  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFIBC40G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
600  
UNIT  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
3.5  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
2.2  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
14  
Linear Derating Factor  
0.32  
500  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
3.5  
EAR  
4.0  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
40  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD= 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 74 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.5 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 6.2 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91182  
S-81273-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRFIBC40GPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP6NK60ZFP STMICROELECTRONICS

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