5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIBE30G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
|
| IRFIBE30G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBE30GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBE30GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFIBF20G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
|
| IRFIBF20G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF20GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF30G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF30G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
|
| IRFIBF30GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
