5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIBE30GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBE30GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFIBF20G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
|
| IRFIBF20G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF20GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF30G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIBF30G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
|
| IRFIBF30GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFIBF30GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFIP044 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-247VAR |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
