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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFIBE30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
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| IRFIBE30G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
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| IRFIBE30G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIBE30GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIBE30GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFIBF20G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) |
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| IRFIBF20G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIBF20GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIBF30G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFIBF30G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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