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IRFB9N65APBF

更新时间： 2024-02-01 10:27:13

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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SMPS MOSFET

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IRFB9N65APBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.78	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	325 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	最大漏极电流 (ID)：	8.5 A
最大漏源导通电阻：	0.93 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB9N65APBF 数据手册

PD - 95416

IRFB9N65APbF

HEXFET^®Power MOSFET

SMPS MOSFET

Applications

V_DSS

650V

R_DS(on)max

I_D

8.5A

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Lead-Free

0.93Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

_D@ T_C= 100°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

8.5

5.4

I_DM

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

167

W/°C

Linear Derating Factor

1.3

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

2.8

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Single Transistor Flyback

l Single Transistor Forward

Notes through ꢀ are on page 8

www.irf.com

06/16/04

12 3 4 5 6 7 8

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