IRFBC20L

更新时间： 2024-11-04 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
Power MOSFET

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IRFBC20L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	84 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	4.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBC20L 数据手册

IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Surface Mount (IRFBC20S/SiHFBC20S)

600

• Low-Profile Through-Hole (IRFBC20L/SiHFBC20L)

Available

• Available in Tape and Reel (IRFBC20S/SiHFBC20S)

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

4.4

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

_gs(nC)

_gd(nC)

8.9

Configuration

Single

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

N-Channel MOSFET

2.0

W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRFBC20L/SiHFBC20L) is a available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBC20SPbF

SiHFBC20S-E3

IRFBC20S

IRFBC20STRLPbF^a

SiHFBC20STL-E3^a

IRFBC20STRL^a

IRFBC20LPbF

SiHFBC20L-E3

IRFBC20L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC20S

SiHFBC20STL^a

SiHFBC20L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

2.2

1.4

8.0

0.40

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

W/°C

E_AS

I_AR

2.2

5.0

3.1

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

dV/dt

3.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 31 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC20/SiHFBC20 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91107

S-Pending-Rev. A, 03-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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IRFBC20PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC20PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFBC20S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC20S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC20S/LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBC20S_V01	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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