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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 760 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.152 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 124 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBA32N50K | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFBA32N50KPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFBA34N50C | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-273AA |
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| IRFBA34N50CPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFBA35N60C | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-273AA |
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| IRFBA90N20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, |
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| IRFBA90N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, |
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| IRFBA90N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFBC20 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFBC20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) |
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