是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.03 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 84 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.2 A |
最大漏源导通电阻: | 4.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQB8N60CTM | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道 QFET® MOSFET 600V,7.5A,1.2Ω | |
FQB7N60TM | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道 QFET® MOSFET 600V,7.4A,1Ω | |
STB14NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFBC20STRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBC20STRLPBFA | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBC20STRR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB | |
IRFBC20STRRPBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFBC20STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFBC30 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) | |
IRFBC30 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFBC30 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET | |
IRFBC30A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) | |
IRFBC30A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |