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IRFB5615

更新时间： 2023-09-03 20:38:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 280K
描述
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

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IRFB5615 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.87Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：109 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：144 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFB5615 数据手册

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IRFB5615PbF  
0.4  
0.35  
0.3  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
I
D
I
= 21A  
D
TOP  
2.8A  
5.3A  
BOTTOM 21A  
0.25  
0.2  
0.15  
0.1  
T = 125°C  
J
0.05  
0
T
= 25°C  
J
0
4
6
8
10 12 14 16  
18 20  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
Starting T , Junction Temperature (°C)  
J
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
GS,  
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage  
Fig 13. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current  
100  
Duty Cycle = Single Pulse  
Allowed avalanche Current vs avalanche  
pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and  
Tstart =25°C (Single Pulse)  
0.01  
10  
0.05  
0.10  
1
Allowed avalanche Current vs avalanche  
pulsewidth, tav, assuming ∆Τ j = 25°C and  
Tstart = 150°C.  
0.1  
1.0E-06  
1.0E-05  
1.0E-04  
1.0E-03  
1.0E-02  
1.0E-01  
tav (sec)  
Fig 14. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth  
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15:  
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)  
1. Avalanche failures assumption:  
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a  
temperature far in excess of Tjmax. This is validated for  
every part type.  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
TOP  
BOTTOM 1.0% Duty Cycle  
= 21A  
Single Pulse  
I
D
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long as neither  
Tjmax nor Iav (max) is exceeded  
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in  
Figures 17a, 17b.  
4. PD (ave) = Average power dissipation per single  
avalanche pulse.  
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for  
voltage increase during avalanche).  
6. Iav = Allowable avalanche current.  
7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed  
Tjmax (assumed as 25°C in Figure 14, 15).  
tav = Average time in avalanche.  
D = Duty cycle in avalanche = tav ·f  
ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11)  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav) = DT/ ZthJC  
Starting T , Junction Temperature (°C)  
J
Iav = 2DT/ [1.3·BV·Zth]  
EAS (AR) = PD (ave)·tav  
Fig 15. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature  
www.irf.com  
5
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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