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IRFB4610TRLPBF

更新时间： 2024-01-25 09:53:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFB4610TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：73 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFB4610TRLPBF 数据手册

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IRFB4610/IRFS4610/IRFSL4610  
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Symbol  
V(BR)DSS  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
100 ––– –––  
––– 0.085 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA  
Conditions  
VGS = 0V, ID = 250µA  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
Static Drain-to-Source On-Resistance  
Gate Threshold Voltage  
V
V
/ T  
∆
J
∆
(BR)DSS  
RDS(on)  
VGS(th)  
IDSS  
–––  
2.0  
11  
14  
4.0  
20  
VGS = 10V, ID = 44A  
m
Ω
–––  
V
VDS = VGS, ID = 100µA  
Drain-to-Source Leakage Current  
––– –––  
µA VDS = 100V, VGS = 0V  
VDS = 100V, VGS = 0V, TJ = 125°C  
nA VGS = 20V  
––– ––– 250  
––– ––– 200  
––– ––– -200  
IGSS  
RG  
Gate-to-Source Forward Leakage  
Gate-to-Source Reverse Leakage  
Gate Input Resistance  
VGS = -20V  
–––  
1.5  
–––  
f = 1MHz, open drain  
Ω
Dynamic @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Symbol  
gfs  
Parameter  
Forward Transconductance  
Total Gate Charge  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
VDS = 50V, ID = 44A  
nC ID = 44A  
DS = 80V  
73  
––– –––  
S
Qg  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
90  
20  
36  
18  
87  
53  
70  
140  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Qgs  
Qgd  
td(on)  
tr  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain ("Miller") Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
V
VGS = 10V  
ns VDD = 65V  
ID = 44A  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
R = 5.6  
Ω
G
VGS = 10V  
pF VGS = 0V  
VDS = 50V  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
––– 3550 –––  
––– 260 –––  
––– 150 –––  
––– 330 –––  
––– 380 –––  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
ƒ = 1.0MHz  
Coss eff. (ER)  
VGS = 0V, VDS = 0V to 80V , See Fig.11  
Effective Output Capacitance (Energy Related)  
Effective Output Capacitance (Time Related)  
Coss eff. (TR)  
VGS = 0V, VDS = 0V to 80V , See Fig. 5  
Diode Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
D
IS  
Continuous Source Current  
––– –––  
A
MOSFET symbol  
73  
(Body Diode)  
showing the  
G
ISM  
Pulsed Source Current  
––– ––– 290  
integral reverse  
S
(Body Diode)  
p-n junction diode.  
VSD  
trr  
Diode Forward Voltage  
––– –––  
1.3  
53  
V
TJ = 25°C, IS = 44A, VGS = 0V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
VR = 85V,  
IF = 44A  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
35  
42  
44  
65  
2.1  
ns  
63  
di/dt = 100A/µs  
Qrr  
66  
nC  
98  
IRRM  
ton  
Reverse Recovery Current  
Forward Turn-On Time  
–––  
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)  
Notes:  
 Repetitive rating; pulse width limited by max. junction  
temperature.  
‚ Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.39mH  
RG = 25Ω, IAS = 44A, VGS =10V. Part not recommended for use  
above this value.  
ꢀ Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time  
as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS  
† Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as  
Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS  
.
.
‡ When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom  
mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.  
ˆ Rθ is measured at TJ approximately 90°C  
ƒ ISD ≤ 44A, di/dt ≤ 660A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C.  
„ Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.  
2
www.irf.com  
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