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IRFB4610TRLPBF PDF预览

IRFB4610TRLPBF

更新时间： 2023-08-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 347K
描述
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRFB4610TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：73 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRFB4610TRLPBF 数据手册

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IRFB4610/IRFS4610/IRFSL4610  
1000  
100  
10  
1000  
VGS  
15V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
4.5V  
VGS  
15V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
4.5V  
TOP  
TOP  
BOTTOM  
BOTTOM  
100  
4.5V  
4.5V  
60µs PULSE WIDTH  
Tj = 25°C  
≤
60µs PULSE WIDTH  
Tj = 25°C  
≤
1
10  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig 1. Typical Output Characteristics  
Fig 2. Typical Output Characteristics  
1000.0  
100.0  
10.0  
1.0  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
I
= 73A  
D
V
= 10V  
GS  
T
= 175°C  
J
T
= 25°C  
= 25V  
J
V
DS  
≤ 60µs PULSE WIDTH  
0.1  
2.0  
3.0  
V
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
8.0  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180  
, Gate-to-Source Voltage (V)  
GS  
T
, Junction Temperature (°C)  
J
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature  
Fig 3. Typical Transfer Characteristics  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
20  
V
= 0V,  
f = 1 MHZ  
GS  
I = 44A  
D
C
= C + C , C SHORTED  
iss  
gs  
gd ds  
V
= 80V  
DS  
C
= C  
rss  
gd  
16  
12  
8
VDS= 50V  
VDS= 20V  
C
= C + C  
oss  
ds  
gd  
Ciss  
4
Coss  
Crss  
0
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140  
1
10  
100  
Q
Total Gate Charge (nC)  
G
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage  
Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage  
www.irf.com  
3
1234567...12

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