是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | TO-263, 3 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB11NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF840S (KRF840S) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
IRF840S, SiHF840S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF840SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF840SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF840STR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF840STRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF840STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF840STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRF840STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) | |
IRF840STRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |