IRF820ALPBF

更新时间： 2024-02-09 05:15:33

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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HEXFET Power MOSFET

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IRF820ALPBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF820ALPBF 数据手册

PD - 95533

IRF820ASPbF

IRF820ALPbF

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

500V

R_DS(on) max

I_D

2.5A

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptable Power Supply

l High speed power switching

l Lead-Free

3.0Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg Results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Effective C_OSSspecified (See AN 1001)

D²Pak

IRF820AS

TO-262

IRF820AL

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

2.5

1.6

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.4

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

3.4

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies:

l Two Transistor Forward

l Half Bridge and Full Bridge

Notes through ꢀare on page 8

www.irf.com

7/20/04

12 3 4 5 6 7...10

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