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IRF6717MTRPBF

更新时间： 2024-11-02 05:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	2514K
描述
Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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IRF6717MTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.81	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	220 A	最大漏极电流 (ID)：	38 A
最大漏源导通电阻：	0.00125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	96 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

Benchmark MOSFETs

Product Selection Guide

For a complete list of IR MOSFETs go to www.irf.com/product-info/hexfet

THE POWER MANAGEMENT LEADER

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF6717MTR1PBF	INFINEON	功能相似	RoHs Compliant and Halgen Free

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF6718L2PBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low Package Inductance
IRF6718L2PBF_15	INFINEON	获取价格	RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide
IRF6718L2TR	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET
IRF6718L2TR1PBF	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET
IRF6718L2TRPBF	INFINEON	获取价格	DirectFET Power MOSFET
IRF6720S2TR1PBF	INFINEON	获取价格	DirectFET TM Power MOSFET
IRF6720S2TR1PBF_09	INFINEON	获取价格	DirectFETPower MOSFET
IRF6720S2TRPBF	INFINEON	获取价格	DirectFET TM Power MOSFET
IRF6721SPBF	INFINEON	获取价格	DirectFETPower MOSFET
IRF6721STR1PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET