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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.14 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 62 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0073 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N2 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF6631TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF8327STRPBF | INFINEON |
功能相似 |
DirectFETPower MOSFET |
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| IRF6721STR1PBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6722MPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6722MTR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF6722MTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6722SPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6722STRPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
|
| IRF6723M2DTR1PBF | INFINEON |
获取价格 |
Dual Common Drain Control MOSFETs for Multiphase DC-DC Converters |
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| IRF6723M2DTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Dual Common Drain Control MOSFETs for Multiphase DC-DC Converters |
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| IRF6724MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF6724MTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF6725MPBF | INFINEON |
获取价格 |
DirectFET Power MOSFET |
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