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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 135 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF5Y6215CMPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF5Y9540CM | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A) |
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| IRF5Y9540CMSCV | INFINEON |
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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV |
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| IRF5YZ48CM | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.029ohm, Id=18A*) |
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| IRF60B217 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRF60DM206 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
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| IRF60DM206_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
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| IRF60R217 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF60SC241 | INFINEON |
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Infineon’s latest 60 V StrongIRFET??power MOS |
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| IRF610 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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