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IRF5N3710

更新时间： 2024-09-29 22:31:31

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POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)

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IRF5N3710 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5N3710 数据手册

PD - 94235A

HEXFET^®POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-1)

IRF5N3710

100V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5N3710

100V

0.028Ω 45A

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

SMD-1

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

180

@ T = 25°C

125

W/°C

Linear Derating Factor

1.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

250

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

12.5

3.7

V/ns

dv/dt

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300 (for 5 s)

2.6 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

7/9//01

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