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IRF5NJ9540

更新时间： 2024-01-05 21:33:16

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POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)

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IRF5NJ9540 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	雪崩能效等级（Eas）：	260 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.117 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	171 ns
最大开启时间（吨）：	164 ns	Base Number Matches：	1

IRF5NJ9540 数据手册

PD - 94038A

HEXFET^®POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

IRF5NJ9540

100V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5NJ9540

-100V

0.117Ω -18A

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

SMD-0.5

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-18

-11

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-72

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.6

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

260

-11

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

4.1

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300 (for 5 s)

1.0 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

7/13/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF9140	INTERSIL	功能相似	-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

与IRF5NJ9540相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5NJ9540SCS	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Standard Packaging
IRF5NJ9540SCV	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Screening Level TXV
IRF5NJ9540SCX	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Screening Level TX
IRF5NJZ34	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRF5NJZ34SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF5NJZ48	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=22A*)
IRF5NJZ48_15	INFINEON	获取价格	Avalanche Energy Ratings
IRF5NJZ48SCV	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRF5NJZ48SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRF5S	ETC	获取价格	Analog IC

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