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IRF5S

更新时间： 2024-01-28 10:48:15

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IRF5S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	, MODULE,6LEAD,1.1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE	效率（主输出）：	80%
最大输入电压：	24 V	最小输入电压：	8 V
JESD-30 代码：	R-XDMA-P6	JESD-609代码：	e0
最大电网调整率：	1.75%	最大负载调整率：	1.5%
功能数量：	1	输出次数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	最大输出电流：	2 A
最大输出电压：	5.0375 V	最小输出电压：	4.9625 V
标称输出电压：	5 V	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装等效代码：	MODULE,6LEAD,1.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Analog ICs
表面贴装：	NO	技术：	HYBRID
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大总功率输出：	10 W
微调/可调输出：	YES	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF5Y1310CM	INFINEON	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.044ohm, Id=18A*)	获取价格
IRF5Y1310CMPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF5Y31N20	INFINEON	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.092ohm, Id=18A*)	获取价格
IRF5Y31N20_15	INFINEON	Avalanche Energy Ratings	获取价格
IRF5Y3205CM	INFINEON	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=18A*)	获取价格
IRF5Y3205CMPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格