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IRF5NJZ34SCX PDF预览

IRF5NJZ34SCX

更新时间： 2024-02-06 17:03:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 112K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN

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IRF5NJZ34SCX 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：43 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5NJZ34SCX 数据手册

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PD - 94600  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
IRF5NJZ34  
55V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
DSS  
RDS(on)  
ID  
IRF5NJZ34  
55V  
0.04Ω  
22A*  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
SMD-0.5  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
22*  
16  
D
GS  
C
A
I
D
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
88  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
40  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.32  
±20  
43  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
4.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.8  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300 (for 5 s)  
1.0  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/07/03  
1234567

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