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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF5Y3315CM
IRF5Y3315CM PDF预览

IRF5Y3315CM

更新时间： 2024-11-23 22:10:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 107K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.085ohm, Id=18A*)

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IRF5Y3315CM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：94 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5Y3315CM 数据手册

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PD - 94268  
HEXFET® POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
IRF5Y3315CM  
150V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF5Y3315CM  
150V  
0.085Ω 18A*  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
18*  
12  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
72  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
94  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
12  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10sec)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
6/22/01  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5Y3315CMSCV INFINEON

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 		150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TXV
IRF5Y3315CMSCX INFINEON

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 		150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package - Screening Level TX
IRF5Y3710CM INFINEON

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 		暂无描述
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