IRF5Y3315CM

更新时间： 2024-10-01 22:10:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.085ohm, Id=18A*)

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IRF5Y3315CM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5Y3315CM 数据手册

PD - 94268

HEXFET^®POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-257AA)

IRF5Y3315CM

150V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5Y3315CM

150V

0.085Ω 18A*

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

TO-257AA

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

18*

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.6

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

3.0

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in./1.6mm from case for 10sec)

4.3 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

6/22/01

12 3 4 5 6 7

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