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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 43 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF5NJZ48 | INFINEON | POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=22A*) |
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| IRF5NJZ48_15 | INFINEON | Avalanche Energy Ratings |
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| IRF5NJZ48SCV | INFINEON | HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
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| IRF5NJZ48SCX | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRF5S | ETC | Analog IC |
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| IRF5Y1310CM | INFINEON | POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.044ohm, Id=18A*) |
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