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IRF5NJZ34SCX

更新时间： 2024-01-27 12:39:41

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	112K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN

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IRF5NJZ34SCX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	43 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5NJZ34SCX 数据手册

IRF5NJZ34

1000

100

1000

100

VGS

15V

VGS

15V

TOP

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

4.5V

20 s PULSE WIDTH

Tj = 25°C

Tj = 150°C

0.1

100

0.1

100.0

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 2. Typical Output Characteristics

Fig 1. Typical Output Characteristics

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

22A

= 25°C

= 150°C

= 25V

20 s PULSE WIDTH

= 10V

1.0

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

10 11 12

T , Junction Temperature ( C)

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 4. Normalized On-Resistance

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Vs.Temperature

www.irf.com

1 234 5 6 7

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