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IRF5NJ5305SCX

更新时间： 2024-02-19 22:00:25

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Transistor,

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IRF5NJ5305SCX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	130 ns
最大开启时间（吨）：	151 ns	Base Number Matches：	1

IRF5NJ5305SCX 数据手册

PD - 94033

HEXFET^®POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

IRF5NJ5305

55V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5NJ5305

-55V

0.065Ω -22A*

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

SMD-0.5

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-22*

-16

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-88

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

0.6

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

160

-16

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

7.5

V/ns

dv/dt

2.8

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300 (for 5 s)

1.0 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

11/10/00

12 3 4 5 6 7

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IRF5NJ540PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF5NJ540SCV	INFINEON	获取价格	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Screening Level TXV
IRF5NJ540SCX	INFINEON	获取价格	IRF5NJ540SCX
IRF5NJ6215	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-150V, Rds(on)=0.29ohm, Id=-11A)
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IRF5NJ9540SCS	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Standard Packaging
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IRF5NJ9540SCX	INFINEON	获取价格	-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package - Screening Level TX
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