IRF5N4905

更新时间： 2024-09-29 22:31:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
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POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=-55A*)

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IRF5N4905 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A
最大漏极电流 (ID)：	55 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF5N4905 数据手册

PD - 94163

HEXFET^®POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-1)

IRF5N4905

55V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number

RDS(on)

DSS

IRF5N4905

-55V

0.024Ω -55A*

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance

per silicon unit area. This benefit, combined with the

fast switching speed and ruggedized device design

that HEXFET power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice

for use in a wide variety of applications.

SMD-1

Features:

Low RDS(on)

Avalanche Energy Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

These devices are well-suited for applications such

as switching power supplies, motor controls, invert-

ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse

circuits.

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-55*

-36

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-220

125

@ T = 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

1.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

330

-36

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

12.5

4.0

V/ns

dv/dt

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300 (for 5 s)

2.6 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

04/09/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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