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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510N | MOTOROLA |
获取价格 |
4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF510PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF510R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
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| IRF510S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
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| IRF510S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF510S | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510S, SiHF510S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF510SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF510SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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