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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
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| IRF510S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
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| IRF510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF510S | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510S, SiHF510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF510SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF510SPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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