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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF510G | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF510L | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510L | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510N | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF510PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF510R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
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| IRF510S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) |
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