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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, D2PAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 19 weeks |
| 风险等级： | 6.85 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 803522 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | D2PAK_ffw |
| Samacsys Released Date： | 2019-04-08 13:19:10 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF4905STRRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| AUIRF4905S | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF4905STRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF4905STRLHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF4905STRLP | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRF4905STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF4905STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF4N60 | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRF4N60FP | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRF500 | ETC |
获取价格 |
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
|
| IRF500C10RJ | ETC |
获取价格 |
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
|
| IRF510 | HARRIS |
获取价格 |
4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF510 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
|
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