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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF510-011PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF510-513 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V |
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| IRF510A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRF510A | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510A16A | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510AF | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510AJ | MOTOROLA |
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4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF510AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF510C | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF510F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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