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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF433R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AA |
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| IRF440 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF440 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF440 | INTERSIL |
获取价格 |
8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF440 | INFINEON |
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TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
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| IRF440 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF440-443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF440EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
8A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF440EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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