是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.64 | 雪崩能效等级(Eas): | 3.6 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.98 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | CECC | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF440EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF440R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF440SCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IRF441 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF441 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRF441 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF441R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA |
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IRF442 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF442 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRF442 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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