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| 生命周期： | Active | 包装说明： | MODIFIED TO-3, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.98 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 参考标准： | MIL-19500 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 123 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 94 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF440-443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF440EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
8A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF440EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF440SCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF441 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF441 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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