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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 104 ns | 最大开启时间（吨）： | 56 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF442R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF443 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF443 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF443 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF4435 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF443R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-204AA |
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| IRF448 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF449 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-204AA |
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| IRF450 | FAIRCHILD |
获取价格 |
13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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