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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF4435 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF443R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-204AA |
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| IRF448 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF449 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-204AA |
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| IRF450 | FAIRCHILD |
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13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF450 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF450 | INTERSIL |
获取价格 |
13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF450 | INFINEON |
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TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A) |
|
| IRF450 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRF450 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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