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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3.6 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.98 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 123 ns | 最大开启时间（吨）： | 94 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF440EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF440EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF440EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF440R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF440SCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF441 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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| IRF441 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF441 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF441R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF442 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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