是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.9 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF442 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF442 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRF442 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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IRF442 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF442R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF443 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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IRF443 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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IRF443 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF443 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF4435 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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