Datasheet > IRF440SCX

IRF440SCX

更新时间： 2024-01-14 16:54:37

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	565K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF440SCX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	MODIFIED TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.98 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	123 ns
最大开启时间（吨）：	94 ns	Base Number Matches：	1

IRF440SCX 数据手册

PD- 90372B

IRF440

500V, N-CHANNEL

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

THRU-HOLE (TO-204AA)

Product Summary

Part Number

BV_DSS

RDS(on)

I_D

IRF440

500V

8.0A

0.85

TO-3 (TO-204AA)

Description

Features

HEXFET^®MOSFET technology is the key to IR Hirel advanced

line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and

unique processing of this latest “State of the Art” design

achieves: very low on-state resistance combined with high trans

conductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt

capability.

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Hermetically Sealed

 Simple Drive Requirements

 ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,

Method 1020

The HEXFET transistors also feature all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast

switching and temperature stability of the electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

8.0

5.0

I_DM@T_C= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

Maximum Power Dissipation

125

1.0

W/°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

V_GS

E_AS

I_AR

± 20

700

8.0

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

12.5

3.5

V/ns

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

11.5 (Typical)

Weight

For footnotes refer to the page 2.

2019-07-08

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IRF440SCX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF441	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF441	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF441	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 450V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF441R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-204AA
IRF442	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF442	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF442	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF442	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF442R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF443	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS

与IRF440SCX相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

9
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

9
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

11
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF440SCX

IRF440SCX 技术参数

IRF440SCX 数据手册

与IRF440SCX相关器件

与IRF440SCX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF440SCX

IRF440SCX 技术参数

IRF440SCX 数据手册

与IRF440SCX相关器件

与IRF440SCX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？