5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 8 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF450EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF450EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF450R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF451 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 450V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF451 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
13A, 450V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
|
| IRF451 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF451 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 450V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF451R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF452 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF452 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
