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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF460PBF
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IRF460PBF

更新时间： 2024-11-27 12:28:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页 143K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFETTRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

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IRF460PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.31 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF460PBF 数据手册

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PD-90467  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
IRF460  
500V, N-CHANNEL  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRF460 500V 0.27Ω  
ID  
21  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 0V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
21  
14  
D
GS  
C
A
I
D
= 0V, T = 100°C  
C
GS  
I
84  
DM  
@ T = 25°C  
P
300  
W
W/°C  
V
D
C
2.4  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
1200  
21  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
30  
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/24/01  
1234567

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IRF460PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF460 SEME-LAB

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

与IRF460PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF460SCX INFINEON

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 		500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - Screening Level TX
IRF-4610000UH+/-5% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED
IRF-4610000UH+-5%ERE3 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 10000uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-461000UH+/-10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-461000UH5% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED
IRF-4612000UH+/-10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 12000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-4612000UH10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 12000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-461200UH+/-10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1200 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-461200UH+-10%ERE3 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 1200uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-461200UH10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1200 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL

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