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IRF460 PDF预览

IRF460

更新时间： 2024-11-26 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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IRF460 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.13
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.31 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF460 数据手册

 浏览型号IRF460的Datasheet PDF文件第2页 
IRF460  
TO–3 (TO–204AA) Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
25.15 (0.99)  
26.67 (1.05)  
6.35 (0.25)  
9.15 (0.36)  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
10.67 (0.42)  
11.18 (0.44)  
1.52 (0.06)  
3.43 (0.135)  
POWER MOSFETS  
VDSS  
500V  
21A  
1
2
ID(cont)  
3
(case)  
3.84 (0.151)  
4.09 (0.161)  
Ω
RDS(on) 0.27  
7.92 (0.312)  
12.70 (0.50)  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Source  
Case – Drain  
= 25°C unless otherwise stated)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
case  
Drain – Source Voltage  
500  
21  
V
A
V
I
DSS  
Continuous Drain Current  
D
1
Pulsed Drain Current  
84  
A
I
DM  
Gate – Source Voltage  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
±20  
300  
2.4  
V
V
GS  
= 25°C  
W
case  
P
D
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
–55 to 150  
300  
T , T  
J
STG  
°C  
T
L
STATIC ELECTRICAL RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Characteristic  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
BV  
I
Drain – Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 0V , I = 1mA  
D
500  
V
DSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
= V  
25  
DSS  
µA  
DSS  
(V  
= 0V)  
= 0.8V  
, T = 125°C  
250  
GS  
DSS  
C
I
Gate – Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
= ±20V , V  
= 0V  
±100 nA  
GSS  
DS  
V
= V  
> I  
, I = 250µA  
2
4
V
GS(TH)  
GS  
D
x R  
Max  
D(ON)  
DS(ON)  
2
I
On State Drain Current  
21  
A
D(ON)  
= 10V  
= 10V , I = 13A  
D
0.27  
0.31  
2
R
Drain – Source On State Resistance  
Ω
DS(ON)  
= 10V , I = 21A  
D
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Pulse Test: Pulse Width < 380µS , Duty Cycle < 2%  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk  
Prelim. 11/98  
Website http://www.semelab.co.uk  
12

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IRF-4610000UH+/-5% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 10000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED
IRF-4610000UH+-5%ERE3 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 10000uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-461000UH+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-461000UH5% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED
IRF-4612000UH+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 12000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-4612000UH10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 12000 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
IRF-461200UH+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1200 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL
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 		General Purpose Inductor, 1200uH, 10%, Ferrite-Core,

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