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IRF450

更新时间： 2024-01-08 06:44:05

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	147K
描述
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A)

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IRF450 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRF450 数据手册

PD - 90330F

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

IRF450

JANTX2N6770

THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

JANTXV2N6770

500V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRF450 500V 0.400Ω 12A

The HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-

tance combined with high transconductance; superior re-

verse energy and diode recovery dv/dt capability.

TO-3

The HEXFET transistors also feature all of the well estab-

lished advantages of MOSFETs such as voltage control,

very fast switching, ease of paralleling and temperature

stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

They are well suited for applications such as switching

power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

=0V, T = 25°C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

7.75

= 0V, T = 100°C

@ T = 25°C

150

1.2

W/°C

Gate-to-Source Voltage

±20

8.0

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

3.5

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

11.5(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/22/01

12 3 4 5 6 7

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IRF450 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6770	INFINEON	类似代替	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packagi

与IRF450相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF450_10	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF450E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450ECPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450EDPBF	INFINEON	获取价格	12A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF450EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF450R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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