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IRF4435

更新时间： 2024-02-07 05:18:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 213K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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IRF4435 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.89
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF4435 数据手册

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PD- 94243  
IRF4435  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
A
1
2
8
D
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Available in Tape & Reel  
3
4
6
S
D
5
G
D
RDS(on) = 0.020Ω  
Top View  
Description  
These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve the extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit provides the designer with an  
extremely efficient device for use in battery and load  
management applications..  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infrared, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-30  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-8.0  
-6.4  
A
-50  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
6/12/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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