5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3.6 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.98 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 123 ns | 最大开启时间（吨）： | 94 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF440EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF440EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF440R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF440SCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRF441 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF441 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF441 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF441R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF442 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF442 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
