生命周期: | Active | 包装说明: | MODIFIED TO-3, 2 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.65 |
雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.98 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A | 参考标准: | MIL-19500 |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 123 ns |
最大开启时间(吨): | 94 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF440 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF440-443 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF440EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF440EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
8A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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IRF440EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF440EDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF440EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRF440R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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IRF440SCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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IRF441 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
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IRF441 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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