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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF432R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF433 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF433 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF433 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 4A 3-Pin (2+Tab) TO-3 |
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| IRF433 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF433R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF440 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF440 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF440 | INTERSIL |
获取价格 |
8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF440 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
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